绝缘栅双极性晶体管（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）是从VDMOSFET与GTR结合而来，如图1所示。IGBT比VDMOSFET增加了一层P+注入层。这样可以使IGBT导通时，由P+区向N-区注入空穴，从而激发N-区产生电子，实现电导调制效应，使IGBT解决了电力MOSFET无法克服的追求高耐压和低通态电阻的矛盾。

VDMOSFET

IGBT

图1

IGBT的等效电路如图2所示。可见其相当于由MOSFET和PNP晶体管组成的达林顿结构，因此IGBT本质属于一种场控器件，因此具有较高的开关速度。而且，其结合使用PNP晶体管实现电导调制，从而在高耐压的同时可以降低通态压降和损耗。

图2

值得注意的是，IGBT内部寄生一个N+PN-晶体管，其与主体PNP管构成寄生晶闸管，会导致栅极失去对电流的控制能力。因此IGBT的设计核心之一是抑制该寄生效应。经过多年努力，自20世纪90年代中后期，这个问题已经得到了很好的解决。

图3

N沟道IGBT的电气符号如图3所示。相应的还有P沟道型，其符号箭头与图3相反。实际中N沟道IGBT应用较多。

综上所述，IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有较高的开关速度、较低的通态压降和损耗、较高的耐压等级（位于GTR和MOSFET之间）。自从1986年进入市场后，IGBT广泛取代了原来GTR和GTO的市场，成为中大功率电力电子设备的主导器件，并在继续努力提升电压和电流容量的改进过程中。