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可控硅和可控硅模块的介绍

文章出处: 人气: 发表时间:2026-01-14 10:52:24


一、可控硅、可控硅模块


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英国爱默生CT直流控制器上的可控硅


二、可控硅实物和封装形式


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备注:常用的封装形式:SOP、TO、平面模块式、圆柱式、饼状。


三、单向和双向可控硅SCR工作原理和等效电路


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图A是单向可控硅的结构图。

图B是单向可控硅等效电路图,相当于一只PNP三极管和一只NPN三极管串联而成。

图C可控硅符号图,也是小功率和直插式大功率可控硅内部电路结构图,电流一般是在41A以下

图D是外形为圆柱形、饼形、平面形可控硅内部电路结构图,电流一般是在60A至几千安以上,内部多了一只等效电阻R。该电阻阻值在5欧至50欧之间,视可控硅电流而定,电流越大,该电阻设计上越小老化的可控硅该电阻会变小,如500A新的单向可控硅,该电阻有20多欧;如果是旧的,该电阻只有5一10欧。该电阻变小,单向可控硅的耐压就变得越小,触发电流就变得越大。从图中可以看出,当用数字式万用表二极管档测量小功率单向可控硅时,只要在G极接红表笔(是机内电源的正极,与指针表相反)与K极接黑表笔(是机内电源的负极,与指针表相反)时,正向导通,正向压降在0.3一0.7V之间;反过来,则是无穷大,G极、K极与A极之间是无穷大;否则,该单向可控硅损坏。对于大功率单向可控硅,G极与K极之间正反测量都有一定的电阻,而与A极是无穷大的,否则该管损坏。单向可控硅有三个极,即阳极A、阴极K、控制极G。阳极A需要加正向电压、阴极需要加反向电压。导通前,阴极和阳极必须有足够电位,G极必须有正向电流时,单向可控硅才能触发导通。


四、单向可控硅工作原理

单向可控硅的工作原理:在没有控制信号G到达时,两只三极管由于没有正偏置,处在截止状态。当G极与K极出现正偏时,NPN管产生电流IB出现IC,IC使PNP管B极正偏,出现PNP管IC,PNP管IC反过来又使NPN管B极正偏导通,完成循环自激过程,可控硅触发导通。所以,只要G极一经触发导通后再撤消,单向可控硅也可自行保持导通,要等到失去负载且阳极电流为零后才能自行关断。如果在直流电路,由于电压是持续不变且永久性存在的,单向可控硅就没法关断,必须以强迫方式关断。如果在交流电路中,由于交流电压存在过零,在零点状态下,单向可控硅阳极电压为零、电流也为零,自行关断,说明如下:


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图A是触发条件1(外电源触发外部电源触发),当单向可控硅触发极G与阴极K产生一定电位,且有足够电流IG激发后,单向可控硅导通。

图B是触发条件2(等电位触发G和A同电位触发),当可控硅G极与阳极等电位时,G极正偏,只要R1能提供足够电流,单向可控硅就能导通。当交流电压过零时,流过单向可控硅的正向电流瞬间中断,单向可控硅自行关断,负半周时由于单可控硅单向导电作用,不管如何触发,单向可控硅都不能导通。当第二个正半周到来时,单向可控硅要再次进行触发才能导通。单向可控硅触发电流IG视不同功率不同类型而不同,小功率TO封装的可控硅一般是几毫安到十几毫安;大功率圆柱形、饼形、平面型的单向可控硅要20mA一200mA才能触发导通。


五、单向可控硅的触发方式

由于单向可控硅触发导通后相当于整流,如果要控制交流,即两个周波完全能通过时必须采用两只单向可控硅进行反方向并联,一只通过正半周,一只通过负半周,这样周波才能完整,说明如下:

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上图中,两只单向可控硅分别承担着正负半周电压电流的通过,输出就是一个完整正弦波。如果用于电加热系统直流电机调速,可以只通过正半周给负载供电;但是如果是交流电动机,则必须保证两个半的电压有效值完全一致,否则会出现直流分量而烧坏马达。该电路是目前交流电路的常用控制方式,但是需要两组触发电路,且两组触发电路触发角必须保持相差180度(即正半周触发角与负半周触发角完全相同),这样正负半周电压有效值才能一致。


六、双向可控硅工作原理

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双向可控硅相当于两只单向可控硅的反方向并联,是用一只封装元件对两只单向可控硅进行集成并改进触发电路,形成只有一个触发极

图A是两只单向可控硅反方向并联图,有两个控制极。

图B是双向可控硅的电路符号,只有一个控制极

C是双向可控硅内部等效电路图(与实际可控硅有些区别),只有一个控制极,内部电阻R7是一只等效电阻,不是实际电阻,等效阻值是5一50欧,视可控硅铭牌电流而定,电流越大,该等交电阻越小老化的可控硅该等效电阻也会变小,如500A的双向可控硅,如果是新的,该电阻就有20多欧;如果是旧的,该电阻只有5一10欧。该电阻变小,可控硅耐压就变小

注意:用数字表量双向可控硅G与T,大于0Ω是好的,等于0Ω是坏的!


七、双向可控硅的触发方式

双向可控硅的T1与G之间用万用表电阻档正反测量时,存在一定电阻,而与T2之间是永远无穷大,否则该管损坏。根据原理图可以分析出,当G极为正极性触发信号时,触发对象是双向可控硅内部左边单向可控硅;当G极为负极性触发信号时,触发是右边的单向可控硅,两只可控硅永远保持与T2等电位、与T1产生正向电位差而导通。双向可控硅触发条件说明如下:

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