可控硅整流器（SiliconControlledRectifier,SCR）是一种基于四层三端半导体结构（P1N1P2N2）的功率电子器件，通过控制极触发信号实现电流导通状态的精确调节。其核心结构由三个PN结组成，等效为PNP与NPN晶体管组成的正反馈放大电路。导通需满足两个条件：阳极电位高于阴极，且控制极施加足够触发电流；关断则依赖阳极电流低于维持值或施加反向电压。这种特性使其能够通过调节触发相位改变导通角，从而调控输出电压平均值。

可控硅整流器可从多个维度分类，按结构分为适用于小型设备的单相可控硅整流器和用于工业大功率场景的三相可控硅整流器；按控制方式分为结构简单但谐波较多的相位控制型，以及谐波少、效率高的PWM控制型；按冷却方式则分为安装方便的中低功率风冷型，和散热效率高的高功率水冷型，不同类别可根据实际功率、精度需求和使用环境灵活选择。

可控硅整流器的核心优势在于其卓越的功率控制能力，能够以毫安级的微小控制电流精准操控数百安培的工作电流，实现“以小控大”。作为全固态半导体器件，它具备无机械磨损、无火花、高效率及长寿命的特点，且开关响应速度可达微秒级，体积远小于传统电动发电机组。这些特性使其成为工业电控、电力传输及新能源等领域中高效可靠的功率调节解决方案。

可控硅整流器作为一种关键的电力电子器件，凭借其高效的电能控制与转换能力，已成为支撑能源革命和工业升级的核心基础元件。近年来，我国高度重视能源电子产业发展与产业结构的优化升级，先后通过《关于推动能源电子产业发展的指导意见》、《产业结构调整指导目录（2024年本）》、《电子信息制造业数字化转型实施方案》等一系列重磅政策，从强化技术创新与产业链协同、明确产业升级方向、推动智能制造与数字化融合等多维度，为可控硅整流器行业构建了系统性的政策支持体系，有力地驱动其向高端化、智能化、绿色化方向快速发展。